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详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案知乎

2023年4月28日 1切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割 2研磨研磨工 2020年10月21日 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。主要技术难点：高温高真首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有 2023年5月21日由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备

2023年4月26日 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。半导体材料是制造半导体器件和集成电路 2023年5月4日碳化硅主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。碳化硅百度百科发布于 20:14 碳化硅碳化硅材料具有硬度大、耐磨损、弹性模量高等特性，目前，国内碳化硅冶炼及粉体主要用于耐火材料、磨料磨具、精细陶瓷的SiC粉体等。研磨碳化硅研磨盘在耐磨领域中的应用知乎

研磨用碳化硅用途百度文库

碳化硅的特点使它成为了研磨行业的首选，在制造原子型研磨膏或研磨液中，用碳化硅代替普通的研磨剂，可以使研磨效果更加理想，并且碳化硅也可以用于磨削工具的制作，如砂 2022年12月15日在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（PostCMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2021年12月16日摘要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎

工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

2020年12月8日 02 研磨研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。2021年6月11日本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、研究进展和产业化现状，提出了未来努力的方向和解决的方案，并展望了其未来的发展趋势和应用前景。同代半导体材料硅 (Si)、锗 (Ge)和第二代半导体材料砷化镓 (GaAs)、磷化液 (InP)相第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎2023年2月26日《工业母机、碳化硅设备国产化再迎利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高端自主化战略意义提升—行业点评报告》202327 证关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报孟鹏飞（分析师）熊亚威（分析师）行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 2020年10月21日以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做 2021年3月13日碳化硅 (SiC)的前世今生！ SiC作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。与传统硅器件相比可以实现低导通电阻、高速开关和耐高温高压工作，因此在电源、汽车、铁路、工业设备和家用消费电子设备中倍受欢迎。虽碳化硅(SiC)的前世今生！知乎

什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途知乎

2021年9月8日碳化硅的用处碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和杰出的导电性、导热性等特别功用，因而在国民经济各部门中具有广泛的用处。在我国，绿碳化硅首要用做磨料。黑碳化硅用于制造磨具，多用于切开和研磨抗张强度低的资 2019年10月9日碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由半导体届“小红人”——碳化硅知乎2023年6月19日 2研磨研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。1)常规双面磨【半导体】碳化硅晶片的磨抛工艺方案知乎

研磨百度百科

研磨方法一般可分为湿研、干研和半干研 3类。 ①湿研：又称敷砂研磨，把液态研磨剂连续加注或涂敷在研磨表面，磨料在工件与研具间不断滑动和滚动，形成切削运动。湿研一般用于粗研磨，所用微粉磨料粒度粗研磨碳化硅能用卧式设备吗拥有世界的高温烧结炉和完备的产品检测设备,生产技术和设备达到国际先进水平4、碳化硅陶瓷类主要有:高温陶瓷辊、研磨桶、燃烧器喷火嘴套、辐射,常用的整形工艺设备有:齿传动卧式球磨机,搅拌磨等,其中球磨整形的具体研磨碳化硅能用卧式设备吗2020年12月2日技术碳化硅产业链条核心：外延技术碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！前两天写了篇文章

2021年11月28日前两天写了篇文章碳化硅（SIC）为什么就一片难求！{碳化硅（SIC）为什么就一片难求！}简单介绍了一下三代半导体中碳化硅的大致情况。即使在2001年，英飞凌就已经生产出来碳化硅的功率半导体，距今过去了20年了，但目前阶段依然 2022年10月25日 SiC其实对电动汽车的作用非常大，简而言之，SiC能提高电动汽车续航里程，同时它有助于电动车充电效率更高效，充电时间更短，让电动汽车更环保，更安全，更智能。关于碳化硅和电动汽车的更多技术内容，大家可以观看下面的视频了解来自英飞凌中碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有什么优势？知乎2023年10月20日碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】 3）外延环节：国外外延设备产能不足、交碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐 2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅 2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

2022年4月24日国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环 2021年12月4日碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹 2019年6月14日因为半导体制造工艺复杂，各个不同环节需要的设备也不同，从流程分类来看，半导体设备主要可分为硅片生产过程设备、晶圆制造过程设备、封测过程设备等。这些设备分别对应硅片制造、集成电路制读完后，我更懂半导体设备了知乎

国内碳化硅产业链！电子工程专辑

2020年12月25日国内碳化硅产业链！碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其 2022年3月22日切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 2021年6月8日碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率

8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院

2022年4月27日 1949年，伴随着新中国的诞生，中国科学院成立。作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心，建院以来，中国科学院时刻牢记使命，与科学共进，与祖国同行，以国家富强、人民幸福为己任，人才辈出，硕果累累，为我国科技进步、经济社会发展和 2023年6月15日 02 碳化硅晶圆划片方法 21 砂轮划片砂轮划片机是通过空气静压电主轴驱动刀片高速旋转，实现对材料的强力磨削。所用的刀片刃口镀有金刚砂颗粒，金刚砂的莫氏硬度为 10 级，仅仅比硬度 95 级的 SiC 略高一点，反复地低速磨削不仅费时，而且费力，同碳化硅晶圆划片技术知乎2022年9月6日四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

2023年5月21日国内主要设备厂家包括中国电子科技集团公司第四十五研究所、唐山晶玉和湖南宇晶等，国产设备在切割效率、加工精度、可靠性和工艺成套性等方面与国外设备有一定差距，100～150mmSiC晶体切割设备线速度水平只能达到2021年8月16日除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎2023年4月17日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯网

三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC）知乎

2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制 2021年11月7日智东西碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿 2021年11月1日可利用碳化硅具有耐高温，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高温间接加热材料，如坚罐蒸馏炉，精馏炉塔盘，铝电解槽，铜熔化炉内衬，锌粉炉用弧型板，热电偶保护管等利用碳化硅的耐腐蚀，抗热冲击耐磨损，导热好的特点，用于大型高炉内衬提高了使用寿命冶金选矿中碳化硅硬度仅次于碳化硅在化工耐火和耐腐蚀材料的应用知乎

碳化硅(SiC)基材料的高温氧化和腐蚀豆丁网

2015年6月23日碳化硅材料在普通条件下（如大气中1000! 2000C）具有较好的抗氧化性能，这是由于在高温条件下碳化硅材料表面产生了一层非常薄的、致密的、结合牢固的SiO2 膜，氧在SiO2 膜中的扩散系数非常小，因此碳化硅材料的氧化非常缓慢在这种条件下碳化硅 2023年1月2日单晶生长环境要求高：单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在 2000℃ ~2500℃之间，而传统硅材仅需 1600℃左右，碳化硅单晶对设备和工艺控制带来了极高的要求，温度和压力控制稍有失误，就会导致产品生长失败；晶型要碳化硅 SiC 知乎2023年4月10日四、碳化硅功率器件的电气性能优势： 1 耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm (4HSiC)，因此具有更高的耐压能力 (10倍于Si)。 2 散热容易：由于SiC材料的热导率较高 (是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。理论上，SiC功率器件可在175℃结温下碳化硅介绍知乎

小议碳化硅的国产化知乎

2020年10月19日在碳化硅器件的技术水平上，国内企业相对集中于基础二极管及中低压器件等低端领域，在对器件性能、可靠性要求较高的高端产品市场渗透率相对较低。高压器件方面的国产化，最近也开始出现一些好消息。比如：泰科天润的碳化硅肖特基二极管、碳化 2021年11月24日 3 试验过程将碳化硅晶片用UV膜（160 μm）固定在绷架上，将绷架真空吸附在多孔陶瓷承片台上，如图5所示。图5 碳化硅晶片磨削前首先采用目数1200#的砂轮对碳化硅晶片进行减薄，将上一道工序中碳化硅晶片表面的切痕进行去除，同时保证去除效碳化硅晶片减薄工艺试验研究真空技术新闻动态深圳市鼎 2021年12月16日摘要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎